FEG-SEM/FIB采用高强度聚焦离子束（FIB）对材料进行纳米尺度地加工，结合扫描电子显微镜（SEM）实时观察，开辟了从大块材料制造纳米器件、进行纳米加工的新途径。目前已广泛应用于半导体集成电路生产线；直接修补、加工集成电路；微纳米加工、操作以及器件研制等诸多领域的研究中。

（右图2：微纳加工）

（右图3：透镜电镜样品制备）

场发射(FE-SEM)部分：

1.分辨率：高真空：1.2nm at 30kV

2.放大倍数：2x~1,000,000x

3.真空系统：高真空：样品室<9x10-3Pa

    枪体真空：<1x10-6Pa

4.加速电压：0.5kV to 30KV

5.电子束电流：2pA~100nA

离子束(FIB)部分：

1.分辨率：< 5nm at 30kV

2.放大倍数：150x~1,000,000x

3.真空系统：枪体真空<5x10-6Pa

4.加速电压：1kV to 30kV

5.电子束电流：2pA~40nA

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