冷场发射高分辨扫描电子显微镜配备新型场发射电子枪,使电子束束流更大、更稳定,具有超高分辨率能力,低加速电压下(1kV)二次电子分辨率可达1.1nm。 配备Bruker FlatQuad型平插式X射线能谱仪,可对样品进行高分辨元素分析。应用于生物、化学等纳米尺度材料的结构和成分分析。
(右图2:阴极氧化纳米管结构)
(右图3:高分子材料基底分布银颗粒)
SE分辨率:二次电子成像
1.15kV:0.8nm (工作距离≥3mm)
2.1kV:1.1nm(工作距离≥1.2mm,减速模式)
加速电压:
1.标准模式:0.5 ~ 30kV
2.减速模式:0.01 ~ 2kV
二次电子探测器:
数量3个,可收集顶位,高位,低位的信号
FlatQuad型平插式X射线能谱仪探测器:
环形四通道SDD芯片,晶体个数4个,晶体有效面积≥60mm2, 配置三档不同厚度的特殊聚合物窗口,可吸收0-20Kev范围内不同加速电压下的背散射电子
阴极氧化纳米管结构 高分子材料基底分布银颗粒
BrukerFLATQUAD平插式X射线能谱仪:
1.最大的信号收集立体角,高达近1.2sr,相当于传统斜插探头~1500mm2的效率
2.最高的信号收集检出角,高达近70°,彻底消除样品粗糙引起的阴影效应
3.最强大的信号处理能力,高达4000kcps(输入计数率)/1600kcps(输出计数率),为高速面分布采集,低压低束流和高空间分辨率工作提供最完美的解决方案
超高速,无阴影效应分析彗星星尘撞击铝箔产生的深坑形貌
12kV,2nA,1400kcps,210s,4096x3072像素
低束流分析硅藻(<10pA) 低电压分析有机黏土颗粒(3kV) 高空间分辨率分析金纳米棒(<10nm) 高速分析FIB制备22nm工艺CMOS(6min)
预约电话:62772522